ВРЕМЯ И ДЕНЬГИ 31/10

Памяти ученого

Сегодня закрывается II Всероссийская конференция "Физические и физико-химические основы ионной имплантации", посвященная памяти выдающегося ученого, члена-корреспондента РАН, академика АН РТ, лауреата Государственной премии СССР, Государственной премии РТ, главного ученого секретаря АН РТ Ильдуса Хайбуллина, который основал признанную в России и за рубежом казанскую школу по ионной имплантации. Ионная имплантация в наши дни стала базовой технологией при производстве интегральных микросхем, на которых работают все современные компьютеры. Однако область возможных применений не ограничивается только этим. Ионная имплантация - это один из наиболее эффективных методов управления широким спектром физических свойств материалов, а также формирования новых материалов, в том числе нанокомпозиционных. В основе процесса лежит внедрение ускоренных до больших энергий ионов в материал. При этом возникает ряд эффектов, связанных с нарушением структуры материала, изменением его химического состава. На конференции обсуждались различные аспекты ионной имплантации и современные достижения в их изучении. В ее работе приняли участие более 50 ученых из России, Белоруссии, Турции, Швеции. Организаторы конференции - Казанский физико-технический институт им.Е.К.Завойского КНЦ РАН и Нижегородский государственный университет им. Н.И.Лобачевского.