news_header_top_970_100
16+
news_header_bot_970_100
news_top_970_100

В Казани обсуждают физические и физико-химические основы ионной имплантации

Конференция посвящена памяти выдающего ученого Ильдуса Хайбуллина, основавшего признанную в России и за рубежом Казанскую школу по ионной имплантации.

(Казань, 28 октября, «Татар-информ»). Сегодня в здании АН РТ начнет свою работу II Всероссийская конференция «Физические и физико-химические основы ионной имплантации».

Конференция посвящена памяти выдающего ученого, члена-корреспондента РАН, академика АН РТ, лауреата Государственной премии СССР, Государственной премии РТ, главного ученого секретаря АН РТ Ильдуса Хайбуллина, который основал признанную в России и за рубежом Казанскую школу по ионной имплантации.

Организаторами конференции выступают Казанский физико-технический институт им.Е.Завойского КНЦ РАН, Нижегородский государственный университет им.Н.Лобачевского при поддержке Федерального агентства по образованию, Российской академии наук, Российского фонда фундаментальных исследований, Министерства образования и науки РТ, Академии наук Республики Татарстан.

Проведение данной конференции в столице Татарстана является не только важным событием в научной жизни республики, но и признанием этой роли научной общественностью России, сообщает пресс-центр АН РТ. Казань входит в число ведущих научных центров по ионной имплантации. В работе конференции примут участие более 50 ученых из Москвы, Санкт-Петербурга, Нижнего Новгорода, Ижевска, Казани, а также из Белоруссии, Турции, Швеции.

Ионная имплантация – это один из наиболее эффективных методов управления широким спектром физических свойств материалов, а также формирования новых материалов, в том числе нанокомпозиционных. В основе процесса лежит внедрение ускоренных до больших энергий ионов в материал. При этом возникает ряд эффектов, связанных с нарушением структуры материала, изменением его химического состава. Все эти вопросы важны для практического использования метода ионной имплантации в области нанотехнологий. Конференция поднимет различные аспекты ионной имплантации и обязательно коснется современных достижений в их изучении.

Научный форум завершит работу 31 октября.

***Ив

news_right_column_1_240_400
news_right_column_2_240_400
news_bot_970_100