Сконструирован быстрый графеновый транзистор

(Казань, 8 апреля, «Татар-информ»). Инженеры из Исследовательского центра им.Томаса Уотсона компании IBM сконструировали быстрый графеновый транзистор на подложке из алмазоподобного углерода.

Листы графена американцы вырастили на медной фольге по экономичной и хорошо отработанной методике химического осаждения из паровой фазы (CVD). При изготовлении транзисторов эти листы переносят на изолирующую подложку, которая обычно выполняется из диоксида кремния. К сожалению, взаимодействие диэлектрика с графеном отрицательно сказывается на электронных свойствах последнего.

Алмазоподобный углерод, неполярный диэлектрик, в новых опытах занявший место двуокиси кремния, тоже довольно часто используется в полупроводниковой промышленности. Слой такого углерода, недорогого и имеющего отличную теплопроводность, был размещен на подложке из обычного кремния; переместив туда же графен и сформировав остальные элементы транзисторов, ученые приступили к тестированию.

Замена оказалась продуктивной: граничная частота, на которой коэффициент усиления по току уменьшается до единицы, у полученных полевых транзисторов с малой длиной затвора (40 нм) приближалась к 155 ГГц.

«Это рекорд для устройств, изготовленных с применением CVD-графена. Более того, наша технология имеет хорошие перспективы развития», — утверждает руководитель исследования Федон Авурис.

Интересно, что графеновые транзисторы на алмазоподобном углероде прекрасно работали даже при сверхнизкой температуре в 4,3 К. У обычных полупроводниковых устройств при падении температуры проявляется эффект вымораживания носителей заряда, сильно ухудшающий характеристики, сообщает «Компьюлента».
***См